Desarrollo de un TFT basado en PbS como semiconductor depositado por baño químico: efecto de parámetros de depósito

dc.contributor.author	Carrillo, Amanda
dc.date.accessioned	2019-01-07T18:07:20Z
dc.date.available	2019-01-07T18:07:20Z
dc.date.issued	2018-08-24
dc.identifier.uri	http://cathi.uacj.mx/20.500.11961/5161
dc.description.abstract	Se presenta reporte final de actividades de estancia posdoctoral nacional. El proyecto consistió en el desarrollo y estudio de un semiconductor basado en PbS y su aplicación en el desarrollo de TFTs.	es_MX
dc.language.iso	spa	es_MX
dc.relation.ispartof	Producto de investigación IIT	es_MX
dc.relation.ispartof	Instituto de Ingeniería y Tecnología	es_MX
dc.rights	Atribución-NoComercial-SinDerivadas 2.5 México	*
dc.rights.uri	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/mx/	*
dc.subject	TFT	es_MX
dc.subject	PbS	es_MX
dc.subject	Deposito por baño químico	es_MX
dc.subject.other	info:eu-repo/classification/cti/7	es_MX
dc.title	Desarrollo de un TFT basado en PbS como semiconductor depositado por baño químico: efecto de parámetros de depósito	es_MX
dc.type	Reporte técnico	es_MX
dcterms.thumbnail	http://ri.uacj.mx/vufind/thumbnails/rupiiit.png	es_MX
dcrupi.instituto	Instituto de Ingeniería y Tecnología	es_MX
dcrupi.cosechable	Si	es_MX
dcrupi.subtipo	Investigación	es_MX
dcrupi.alcance	Nacional	es_MX
dcrupi.pais	México	es_MX
dc.contributor.coauthor	Pineda, Horacio
dc.lgac	Sin línea de generación	es_MX
dc.cuerpoacademico	Sin cuerpo académico	es_MX
dcrupi.estapublicado	Si	es_MX
dcrupi.numeroreporte	1	es_MX
dcrupi.dirigidoa	CONACYT	es_MX

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