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Desarrollo de un TFT basado en PbS como semiconductor depositado por baño químico: efecto de parámetros de depósito
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REPORTE TÉCNICO FORMATO IAF ESTANCIAS POSDOCTORALES NACIONALES (1.370Mb)
Fecha
2018-08-24
Autor
Carrillo, Amanda
Metadatos
Mostrar el registro completo del ítem
Resumen
Se presenta reporte final de actividades de estancia posdoctoral nacional. El proyecto consistió en el desarrollo y estudio de un semiconductor basado en PbS y su aplicación en el desarrollo de TFTs.
URI
http://cathi.uacj.mx/20.500.11961/5161
Colecciones
Reporte técnico
[279]
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