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dc.contributor.authorRamos Murillo, Manuel Antonio
dc.date.accessioned2023-01-09T20:37:40Z
dc.date.available2023-01-09T20:37:40Z
dc.date.issued2022-10-24es_MX
dc.identifier.urihttp://cathi.uacj.mx/20.500.11961/24376
dc.description.abstractWe present a theoretical study for MoS2/MoSe2 Van der Waals heterojunction in the armchair direction, and periodicity in the y-direction, under the mechanical deformation process to explore electronic structure vs. curvature angle. Our findings reveal that the heterojunction maintains chemical stability, even under high deformation, and the bandgap of the heterojunction is inversely proportional to curvature angle; the shift from semiconductor—with a bandgap of 0.8 eV—to semimetal occurs at deformation angles as low as 5°, having a gapless material. The mentioned transition corresponds mainly to distortion of half-filled molybdenum d-orbitals and chalcogen–chalcogen p-orbitals overlapping near the Fermi level.es_MX
dc.description.urihttps://link.springer.com/article/10.1557/s43579-022-00233-1es_MX
dc.language.isoen_USes_MX
dc.relation.ispartofProducto de investigación IITes_MX
dc.relation.ispartofInstituto de Ingeniería y Tecnologíaes_MX
dc.rightsAtribución-NoComercial-SinDerivadas 2.5 México*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/mx/*
dc.subjectEstructura Electrónicaes_MX
dc.subjectMaterialeses_MX
dc.subjectTeoria de Funcional de la Densidades_MX
dc.subjectMoS2es_MX
dc.subject.otherinfo:eu-repo/classification/cti/1es_MX
dc.titleSemimetal transition in curved MoS2/ MoSe2 Van der Waals heterojunction by dispersion‑corrected density functional theoryes_MX
dc.typeArtículoes_MX
dcterms.thumbnailhttp://ri.uacj.mx/vufind/thumbnails/rupiiit.pnges_MX
dcrupi.institutoInstituto de Ingeniería y Tecnologíaes_MX
dcrupi.cosechableSies_MX
dcrupi.volumen12es_MX
dcrupi.nopagina1154-1159es_MX
dc.identifier.doihttps://doi.org/10.1557/s43579-022-00233-1es_MX
dc.journal.titleMRS Communicationses_MX
dc.contributor.coauthorexternoLópez-Galán, O
dcrupi.colaboracionextAlemaniaes_MX
dcrupi.vinculadoproyextCritical dimensions of MoS2, WS2 and WO3 thin films: Potential Photovoltaic Applications (RIPI2020IIT5)es_MX
dcrupi.pronacesEnergía y Cambio Climáticoes_MX


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